型号/品牌/封装
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价格(含税)
资料
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品类: IGBT晶体管描述: FUJI ELECTRIC 2MBI200U4H-120-50 晶体管, IGBT阵列&模块, N沟道, 200 A, 2.05 V, 1.04 kW, 1.2 kV, Module5547 -
品类: IGBT晶体管描述: IGBT 模块，2 个装，Fuji Electric V - 系列，第 6 代现场挡块 U/U4 系列，第 5 代现场挡块 S - 系列，第 4 代 NPT IGBT 分立件和模块，Fuji Electric 绝缘栅级双极性晶体管或 IGBT 是一种三端子功率半导体设备，以高效和快速切换著称。 IGBT 通过将用于控制输入的隔离栅极 FET 和用作开关的双极性功率晶体管组合在单个设备中，将 MOSFET 的简单栅极驱动特性与双极性晶体管的高电流和低饱和电压能力组合在一起。1336
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品类: IGBT晶体管描述: FUJI ELECTRIC 6MBP30RH-060-50 晶体管, IGBT阵列&模块, N沟道, 30 A, 2.7 V, 85 W, 600 V, Module8472
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品类: IGBT晶体管描述: IGBT 模块，2 个装，Fuji Electric V - 系列，第 6 代现场挡块 U/U4 系列，第 5 代现场挡块 S - 系列，第 4 代 NPT IGBT 分立件和模块，Fuji Electric 绝缘栅级双极性晶体管或 IGBT 是一种三端子功率半导体设备，以高效和快速切换著称。 IGBT 通过将用于控制输入的隔离栅极 FET 和用作开关的双极性功率晶体管组合在单个设备中，将 MOSFET 的简单栅极驱动特性与双极性晶体管的高电流和低饱和电压能力组合在一起。5182
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品类: IGBT晶体管描述: FUJI ELECTRIC 2MBI200U2A-060-50 晶体管, IGBT阵列&模块, N沟道, 200 A, 2.45 V, 660 W, 600 V, Module2321
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品类: IGBT晶体管描述: IGBT 模块，6 包，Fuji Electric V - 系列，第 6 代现场挡块 U/U4 系列，第 5 代现场挡块 S - 系列，第 4 代 NPT 注 模块内每晶体的最大集电极电流 (Ic) 值是额定的。 IGBT 分立件和模块，Fuji Electric 绝缘栅级双极性晶体管或 IGBT 是一种三端子功率半导体设备，以高效和快速切换著称。 IGBT 通过将用于控制输入的隔离栅极 FET 和用作开关的双极性功率晶体管组合在单个设备中，将 MOSFET 的简单栅极驱动特性与双极性晶体管的高电流和低饱和电压能力组合在一起。6579
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品类: IGBT晶体管描述: FUJI ELECTRIC 2MBI100VA-120-50 晶体管, IGBT阵列&模块, N沟道, 100 A, 1.75 V, 555 W, 1.2 kV, Module1328
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品类: IGBT晶体管描述: FUJI ELECTRIC FGW30N60VD 单晶体管, IGBT, 55 A, 1.6 V, 230 W, 600 V, TO-247, 3 引脚83791+￥82.397510+￥78.8150100+￥78.1702250+￥77.6686500+￥76.88051000+￥76.52222500+￥76.02075000+￥75.5908
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品类: IGBT晶体管描述: FUJI ELECTRIC FGW40N120VD 单晶体管, IGBT, 63 A, 1.85 V, 340 W, 1.2 kV, TO-247, 3 引脚16071+￥85.905010+￥82.1700100+￥81.4977250+￥80.9748500+￥80.15311000+￥79.77962500+￥79.25675000+￥78.8085
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品类: IGBT晶体管描述: Trans IGBT Module N-CH 1.2kV 25A 21Pin P61088701+￥251.413010+￥244.854450+￥239.8261100+￥238.0772200+￥236.7655500+￥235.01651000+￥233.92342000+￥232.8303
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品类: IGBT晶体管描述: Trans IGBT Module N-CH 1.2kV 100A 22Pin P61216665+￥2.565025+￥2.375050+￥2.2420100+￥2.1850500+￥2.14702500+￥2.09955000+￥2.080510000+￥2.0520
